特許
J-GLOBAL ID：200903026196785595

半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置

発明者：
国分 崇

国分 崇 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085381
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282545
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】チャンバー内の放電異常を容易にリアルタイムでモニタ可能とし、大量の不良生産を防止する半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】カソード電極12、アノード電極15間において高周波電源14からの高周波電力が整合回路部13及びブロッキングコンデンサ12を介して印加される。通常、グロー放電領域を保ちつつ供給される反応ガスによるプラズマが発生され、半導体ウェハWafへのエッチング処理がなされる。処理中に放電異常が起こった場合、整合回路部13での高周波電力に関する整合において所定範囲より大きい被制御値の変動が起こる。その被制御値の変動に伴う電圧変化を電によって放電異常を検出する電圧モニタ制御部18が設けられている。
請求項（抜粋）：
電極間に基板の載置されるチャンバー内が、供給される反応ガスの放電によってプラズマ化され、基板表面をプラズマ処理する半導体装置の製造方法であって、前記プラズマによる処理中の放電異常が、前記電極間に印加される高周波電力に関する整合時の所定範囲より大きい被制御値の変動に伴う電圧変化によってモニタされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 101 B
Fターム (6件)：
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CB05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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