特許

J-GLOBAL ID：200903026214093434

半導体レーザ装置および半導体微小球発光装置

発明者： 知野 豊治 ,  小林 康宏 ,  上山 智 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  大田 啓之 ,  石橋 明彦 ,  鬼頭 雅弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027940
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235726
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 位相スクイーズド光を発生させる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 この半導体レーザは面発光レーザ構造を用いている。n-GaAs基板101上に円柱状の発光領域11を形成し、厚さ、直径とも波長オーダーにする。さらに、この領域11の側面にもブラッグ反射器を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、p型導電性を持つブラッグ反射器と、n型導電性を持つブラッグ反射器と、前記p型及び該n型ブラッグ反射器に挟まれ、半導体多層膜からなる活性領域とを備え、前記活性領域と前記活性領域上のブラッグ反射器の形状が円柱であり、前記活性領域の厚さが前記活性領域中での発光波長オーダーであり、前記活性領域の直径が前記活性領域中での発光波長オーダーであることを特徴とする半導体レーザ装置。