特許
J-GLOBAL ID：200903026223119624
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344725
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189716
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】微細な配線構造の強度と信頼性を高めるとともにその性能向上を容易にする。【解決手段】半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が同一層に配設され、前記配線間のうち隣接配線間隔の狭い領域に選択的に第1の層間絶縁膜が形成され、前記隣接配線間隔の広い領域には第2の層間絶縁膜が形成され、前記第1の層間絶縁膜の誘電率が前記第2の層間絶縁膜の誘電率より小さくなっている。
請求項（抜粋）：
半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が同一層に配設され、前記配線間のうち隣接配線間隔の狭い領域に選択的に第1の層間絶縁膜が形成され、前記隣接配線間隔の広い領域には第2の層間絶縁膜が形成され、前記第1の層間絶縁膜の誘電率が前記第2の層間絶縁膜の誘電率より小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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