特許

J-GLOBAL ID：200903084170355835

半導体デバイスおよび半導体ウエハ上の金属導線を絶縁する方法

発明者： シン - プウ イェング ,  ロバート エィチ.ヘイブマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107149
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【課題】 導線間の静電容量が小さく、かつ従来の作成工程を利用することができる、半導体デバイスおよびその製造法を提供する。【解決手段】 基板の上に金属層が沈着され、そしてこの金属層の中に金属導線が作成される。この金属導線の上に酸化物ライナが沈着される。この酸化物ライナの厚さは、金属導線の側面の上よりも金属導線の頂部の上で大きい。金属導線の間の酸化物ライナの上に、低誘電率部材が沈着される。低誘電率部材は、誘電率が3.5以下の部材である。

請求項（抜粋）：

基板の上に金属層を沈着する段階と、前記金属層の中に、おのおのが頂部と少なくとも2つの側面とを有する、少なくとも2個の金属導線を作成する段階と、前記金属導線の上に、金属導線の前記側面の上の厚さよりも金属導線の前記頂部の上の厚さが大きい、酸化物ライナを沈着する段階と、前記金属導線の少なくとも間の前記酸化物ライナの上に、その誘電率が3.5よりも小さい低誘電率部材を沈着する段階と、を有する、半導体ウエハの上の金属導線を絶縁する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030667   出願人：日本電気株式会社