特許
J-GLOBAL ID：200903026251237799
半導体放射線検出器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 良平
, 竹内 尚恒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342039
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179290
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】高い分解能を有し、且つ取り扱いが容易である放射線検出器を提供する。【解決手段】ホウ素Bを含むp型Siから成る半導体層11上の一部にSiO2から成る絶縁体層12を設け、その上に導電層13を載置し、絶縁体層12を設けた面とは反対側の半導体層11の面に電荷供給電極14を設け、絶縁体層12を挟むように半導体層11上に1対の測定用電極151、152を設ける。この検出器を1K以下に冷却し、導電層13-電荷供給電極14間に電圧を印加すると、絶縁体層12直下の半導体層11にあるBが正孔を捕獲しB+が形成される。放射線がフォノンを介してB+にエネルギーを与えるとB+から正孔が解放され、正孔は一方の測定用電極151に移動し、電流として取り出される。これにより放射線が検出される。この検出器は、高分解能検出器である超伝導体放射線検出器と同程度の高い分解能を有し、且つそれよりも動作温度が高いため取り扱いが容易である。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
a)正孔捕獲不純物を含むp型半導体又は電子捕獲不純物を含むn型半導体から成る半導体層と、
b)前記半導体層の一面の一部に設けた絶縁体層と、
c)前記絶縁体層に載置した導電層と、
d)半導体層の前記一面とは別の面に設けた電荷供給電極と、
e)前記絶縁体層を設けた部分を挟むように、半導体層の前記一面に設けた1対の検出用電極と、
を備えることを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2G088EE30
, 2G088FF01
, 2G088FF03
, 2G088FF15
, 2G088GG21
, 2G088JJ09
, 2G088JJ31
, 2G088KK01
, 2G088KK40
, 2G088LL05
, 5F088AA20
, 5F088AB03
, 5F088AB17
, 5F088BA07
, 5F088BB06
, 5F088FA05
, 5F088LA07
