特許

J-GLOBAL ID：200903026260244757

アンチヒューズを含む集積回路の形成方法および集積回路

発明者： デュレセッティ・チャイダンバラオ ,  アルリッチ・フレイ ,  サーヤナラヤン・ジー・ヘグド ,  ウィリアム・アール・トンティ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310635
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111957
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】半導体基板上の低プログラミング電圧アンチヒューズを含む集積回路の構造および形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一部を窒素と電荷担体ドーパント・ソースとでドープし、破壊電圧の印加によって破壊される薄い誘電体を、半導体基板のドープした部分の上に形成し、薄い誘電体によって半導体基板から分離される第1の導体を形成し、半導体基板のドープした部分へ導電的に接続される第2の導体を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板上のアンチヒューズを含む集積回路を形成する方法であって、 半導体基板の一部を窒素および電荷担体ドーパント・ソースを用いてドープする工程と、 前記半導体基板のドープした部分の上に薄い誘電体を形成する工程と、 前記薄い誘電体によって前記半導体基板から分離される第1の導体を形成する工程と、 前記半導体基板のドープした部分へ導電的に接続される第2の導体を形成する工程と、 破壊電圧の印加によって前記薄い誘電体を破壊させる工程とを含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/82 ,  H01L27/10

FI (2件)：

H01L21/82 F ,  H01L27/10 431

Fターム (17件)：

5F064FF28 ,  5F064FF45 ,  5F064GG01 ,  5F083CR14 ,  5F083GA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR10 ,  5F083PR12 ,  5F083PR36 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52

引用特許：

審査官引用 (1件)

• アンチ-フューズの形態の書込可能な半導体装置の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-531584   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ