特許
J-GLOBAL ID：200903026295402509

CVD装置

発明者：
スニル ウィクラマナヤカ

スニル ウィクラマナヤカ について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208460
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028577
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるCVD装置を提供すること。【解決手段】 CVD装置は、ウェハー搬入/搬出チャンバ1a,1b、処理チャンバ3、ウェハー搬送チャンバ2を備える。処理チャンバは、2つまたはそれより多いウェハーステージ6a〜6dであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム8a〜8dを介して連結されているものと、ウェハー・ロード/アンロード室5と、2つまたはそれより多い分離された処理反応容器4a,4bとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な1タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード/アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウェハー搬入/搬出チャンバと、ウェハー処理チャンバおよびウェハー搬送チャンバと、を備えたCVD装置であって、前記ウェハー処理チャンバは、 2つまたはそれより多いウェハーステージであって、各々がアーム部材を介して回転可能な中央ポールに連結される前記ウェハーステージと、 ウェハー・ロード/アンロード室と、 2つまたはそれより多い分離された処理反応容器であって、それぞれ、膜の化学的気相成長のため必要とされる1つのタイプの処理ガスのみが供給され前記処理反応容器とから成り、 前記ウェハー・ロード/アンロード室と前記処理反応容器は、前記中央ポールから同じ半径距離で配置されており、その結果、前記中央ポールが回転するとき、前記ウェハーステージの各々は前記処理反応容器と前記ウェハー・ロード/アンロード室の各々を通過することを特徴とするCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/677 ,  H01L 21/683
FI (4件)：
C23C16/44 F ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 A ,  H01L21/68 N
Fターム (31件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030KA49 ,  5F031CA02 ,  5F031HA12 ,  5F031HA37 ,  5F031HA42 ,  5F031HA50 ,  5F031HA59 ,  5F031HA60 ,  5F031MA04 ,  5F031MA13 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031NA07 ,  5F031PA06 ,  5F031PA24 ,  5F031PA26 ,  5F045AA03 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EN04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235357   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 成膜装置および成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-000183   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 多結晶Si膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-053312   出願人：京セラ株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長

前のページに戻る

TOP

BOTTOM