特許
J-GLOBAL ID：200903026317273821
ガンダイオード発振器
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241956
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057529
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 二次高調波モードを利用する従来のガンダイオード発振器には、メサ型のガンダイオード素子をピル型パッケージに組み込んだものを導波管内に配置したものがあったが、特性のばらつきや、組立の作業効率が低いという問題があった。【解決手段】 裏面に接地導体23を有する所定幅の誘電体基板31の上面に発振部用のマイクロストリップ線路14を形成するとともに、前記接地導体に、一端部において前記マイクロストリップ線路14と回路的に結合するスロット線路19を形成し、前記マイクロストリップ線路14に表面実装型ガンダイオード13を搭載して基板組立体とし、該基板組立体を方形導波管内に挿入してフィンライン型の出力部を構成し、該フィンラインのカットオフ周波数は基本波の発振周波数より高くなるように設定した。
請求項（抜粋）：
表面実装型ガンダイオードを搭載した誘電体基板と、該誘電体基板を収納する金属筐体とからなり、二次高調波の発振出力を利用するガンダイオード発振器であって、前記誘電体基板が収納される前記金属筐体内部が方形導波管であり、前記誘電体基板に、前記表面実装型ガンダイオードの発振出力が電磁気的に結合するスロット線路が形成され、フィンライン型の出力部を構成し、発振周波数の半分の周波数が前記フィンラインのカットオフ周波数以下であることを特徴とするガンダイオード発振器。
IPC (4件)：
H03B 9/14
, H01L 47/02
, H01P 3/02
, H01P 5/10
H03B 9/14
, H01L 47/02
, H01P 3/02
, H01P 5/10 D
