特許
J-GLOBAL ID：200903026332172799
磁気光学素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187021
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005241
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 可視光や紫外光に対する高消光比の高速変調や高速波長スイッチング機能を有する、全く新しい動作原理に基づく磁気光学素子を提供する。【解決手段】 磁気光学素子1は、化学組成がXMnY、ただしXはCd,Zn,Gaから選ばれる一種類以上の元素であり、YはS,Se,Te, O, N,Asから選ばれる一種類以上の元素、で表されるMnドープ化合物半導体であり、また、Mn組成は、0.5at%以上、30at%以下である。磁気光学素子1に磁場を印加し、印加磁場が小さい場合にはMnが発光し、印加磁場をしだいに大きくするとMnの発光がしだいに減少し、自由励起子の発光がしだいに増大し、印加磁場が十分大きくなると自由励起子のみの発光となる。
請求項（抜粋）：
二種類以上の波長の異なる発光または光吸収を示す半導体からなり、この半導体に磁場または電場を印加して、上記の発光や光吸収の強度を変調し、または、上記の発光または光吸収の波長を切り換えることを特徴とする磁気光学素子。
IPC (2件)：
G02F 2/02
, G02F 1/09 501
G02F 2/02
, G02F 1/09 501
2H079AA03
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA12
, 2K002AB12
, 2K002BA11
, 2K002CA02
, 2K002HA09
