特許

J-GLOBAL ID：200903026332890616

多レベル不揮発性メモリセル読み出し方法および回路

発明者： クリスチアノ カリガロ ,  ヴィセンツォ ダニエル ,  ロベルト ガスタルディ ,  アレッサンドロ マンストレッタ ,  グイド トレーリ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エッセ エッレ エーレ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297984
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【課題】 複数の異なった書き込みレベルのうちの1つの書き込みレベルを取ることができる多レベル不揮発性メモリセルを読み出す方法を提供する。【解決方法】 a)セル電流(IC)をmの複数のセル電流値(IC0-IC3;IC0-IC15)の最小値および最大値間の値を有する基準電流(IR)と比較し、したがって前記複数のセル電流値(IC0-IC3;IC0-IC15)を2つのセル電流値のサブ範囲に分割し、前記セル電流(IC)が属するセル電流値のサブ範囲を決定するステップと、b)前記セル電流(IC)が属する前記セル電流値のサブ範囲が、読み出すべきメモリセル(MC)の電流(IC)の値である1つのセル電流値のみを含むようになるまで、前記ステップa)を繰り返すステップとを行う。

請求項（抜粋）：

読み出すべきメモリセル(MC)を予め決められた状態にバイアスして、前記メモリセル(MC)が、各々がセルの書き込みレベルの1つに対応するmの複数の異なったセル電流値(IC0-IC3;IC0-IC15)に依存する値を有するセル電流(IC)を減少するようにする、m=2n (n≧2)の複数の異なった書き込みレベルのうちの1つの書き込みレベルを取ることができる多レベル不揮発性メモリセルを読み出す方法において、a)前記セル電流(IC)を前記mの複数のセル電流値(IC0-IC3;IC0-IC15)の最小値および最大値間の値を有する基準電流(IR)と比較し、したがって前記複数のセル電流値(IC0-IC3;IC0-IC15)を2つのセル電流値のサブ範囲に分割し、前記セル電流(IC)が属するセル電流値のサブ範囲を決定するステップと、b)前記セル電流(IC)が属する前記セル電流値のサブ範囲が、読み出すべきメモリセル(MC)の電流(IC)の値である1つのセル電流値のみを含むようになるまで、前記ステップa)を繰り返すステップとを、さらに行うことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

G11C 16/04 ,  G11C 11/56

FI (2件)：

G11C 17/00 308 ,  G11C 11/56

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-054896
  
• 特開平2-015497
  
• アナログ/デジタル変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046474   出願人：日本電気株式会社