特許
J-GLOBAL ID：200903026340844909

レーザ加熱装置

発明者：
鯉沼 秀臣

鯉沼 秀臣 について

, 
川崎 雅司

川崎 雅司 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258973
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087223
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：
【要約】【課題】 真空装置において効率的にかつ適正に試料基板を加熱し得るレーザ加熱装置を提供する。【解決手段】 レーザ加熱装置20は、薄膜形成用基板1を加熱する。成膜装置100の真空チャンバ101内に設置された基板1に対してレーザ光を照射することにより、基板1を所定温度に加熱する。レーザ光を光ファイバ23により基板1付近まで誘導し、光ファイバ23先端から直接的または間接的に基板1に対してレーザ光が照射される。光ファイバ23は外装パイプ24内に挿通するとともに、外装パイプ24内が真空引きされる。光ファイバ23先端から反射ミラー33を介して、基板1に対してレーザ光が照射される。Nd:YAGレーザ光を使用する。
請求項（抜粋）：
薄膜形成用基板を加熱するための加熱装置であって、成膜装置の真空チャンバ内に設置された基板に対してレーザ光を照射することにより、該基板を所定温度に加熱するようにしたことを特徴とするレーザ加熱装置。
Fターム (2件)：
4K029DA08 ,  4K029JA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM