特許

J-GLOBAL ID：200903026348709407

半導体装置の製造方法

発明者： 矢田 茂郎 ,  磯村 雅夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123576
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318198
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 ドレイン領域の端部近傍における電界集中を緩和する構造を有する半導体装置を形成する場合における製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体装置の製造方法は、高濃度のn+ソース領域3aおよびn+ドレイン領域3bに不純物P(リン)が導入された非晶質Siからなる半導体膜3を形成する工程と、その後、不純物を低濃度のn-ソース領域3dおよびn-ドレイン領域3eが形成される領域側に拡散させる工程とを備える。

請求項（抜粋）：

ソース/ドレイン領域の高濃度領域となる部分に導電率を制御し得る不純物が導入された非晶質半導体膜を形成する工程と、その後、前記不純物を低濃度領域が形成される領域側に拡散させる工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 V

Fターム (49件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052HA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK25 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜電界効果トランジスタを具える電子デバイスの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-526201   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ