ビットライン選択回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：笹島富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109889
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315576
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】DRAMにおいて特定ビットラインを選択する場合、内部昇圧電圧Vppの電力の消耗を減らす。【解決手段】DRAMの複数個のブロックのビットライン選択回路600が電荷充電部400を共有するように構成し、RASBがディスエーブルされてビットライン選択信号の電圧が内部昇圧電圧Vppから電源電圧Vccに放電されたとき、その一部の電荷を電荷充電部400に貯蔵し、再びビットラインが選択された場合、該貯蔵された電荷を再活用してビットライン選択信号ラインを事前充電して内部昇圧電圧Vppのパワー消耗を減らす。

請求項（抜粋）：

半導体メモリのビットライン選択回路であって、各遅延部、NORゲート、インバータ及びNANDゲートが夫々連結された複数の回路で構成され、入力ノードを経て入力する外部信号を演算し、ビットライン選択信号発生用の制御信号を発生する制御信号発生部と、該制御信号発生部から出力された制御信号に基づいて内部昇圧電圧Vppレベルのビットライン選択信号を発生する複数のビットライン選択信号発生部と、該複数のビットライン選択信号発生部からの出力選択信号が内部昇圧電圧Vppから電源電圧Vccに放電されたとき、該出力選択信号の一部の電荷を充電し、該充電された電荷をビットライン選択時に再活用して前記複数のビットライン選択信号発生部のビットライン選択信号ラインを事前チャージする電荷充電部と、により構成されたことを特徴とするビットライン選択回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054702 出願人：沖電気工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-295477 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開昭51-065532

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