特許

J-GLOBAL ID：200903040949680794

半導体記憶装置

発明者： 河原 尊之 ,  川尻 良樹 ,  秋葉 武定 ,  堀口 真志 ,  橘川 五郎 ,  青木 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135580
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】一旦電源から供給された電流をすぐに接地に流してしまうことなく、他の回路に利用することにより、低消費電流の半導体記憶装置を提供する。【構成】第1のコモンソース線PP1及びPN1と第2のコモンソース線PP2及びPN2との間に両者を各々ショートするスイッチSP及びSNを設ける。【効果】VD-VSの振幅に開いた第1のコモンソース線の電荷で、第2のコモンソース線電位を変化させてこの第2のコモンソース線に接続するデータ線を本来の振幅の半分まで増幅しその後、センスアンプによる増幅を行うことによってデータ線の充放電電流をおよそ半分とすることができる。

請求項（抜粋）：

第1のメモリセルと、該第1のメモリセルが接続された第1のデータ線対と、該第1のデータ線対に読み出された微小信号を増幅する第1のセンスアンプと、第2のメモリセルと、該第2のメモリセルが接続された第2のデータ線対と、該第2のデータ線対に読み出された微小信号を増幅する第2のセンスアンプと、上記第1のセンスアンプを駆動する第1の駆動信号線と、該第1の駆動信号線と電源線とを接続する第1のスイッチ手段と、上記第2のセンスアンプを駆動する第2の駆動信号線と、該第2の駆動信号線と電源線とを接続する第2のスイッチ手段とを有する半導体記憶装置において、上記第1の駆動信号線と上記第2の駆動信号線の間に接続手段を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 354 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-041695
  
• 特開昭61-142593