特許

J-GLOBAL ID：200903026387953897

高分子薄膜の低比誘電率化方法及び層間絶縁膜の形成方法

発明者： 佐藤 昌敏 ,  飯島 正行 ,  高橋 善和 ,  浮島 禎之
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087328
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249851
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】簡易な工程で安定した特性を有する高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空中で原料モノマーとしてのジアミンとジイソシアナートとを蒸発させ、これらを基体上で蒸着重合させて低分子量のポリ尿素膜を形成した後、このポリ尿素膜に紫外線の照射と熱処理を行い、架橋反応と高分子量化することによりポリ尿素膜の比誘電率を低下させる。ジアミンとしては、4、4'-ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用い、ジイソシアナートとして、4、4'-ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)を用いる。本発明によれば、層間絶縁膜23の比誘電率を3.08まで低下させることができる。

請求項（抜粋）：

真空中で原料モノマーとしてのジアミンとジイソシアナートとを蒸発させ、これらを基体上で蒸着重合させて低分子量のポリ尿素膜を形成した後、このポリ尿素膜に紫外線の照射と熱処理を行い、架橋反応と高分子量化することによりポリ尿素膜の比誘電率を低下させることを特徴とする高分子薄膜の低比誘電率化方法。

IPC (6件)：

C09D175/02 PHN ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/11

FI (6件)：

C09D175/02 PHN ,  H01L 21/312 A ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポリ尿素膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080968   出願人：日本真空技術株式会社, 昭和シェル石油株式会社