特許
J-GLOBAL ID：200903026390734080
シリコン基板の酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280369
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 集積回路の更なる高密度化・微細化に対応可能なシリコン酸化膜の形成装置及びシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 酸素の負イオンを用いることにより、基板の損傷が低減され、また基板の裏面側からバイアスを印加することで、熱酸化のように面方向に酸化が広がることが殆どなく、深さ方向に酸化が進む、即ち酸化膜が方向性をもって形成されるため、所望の領域を所望の深さまで好適に酸化できる。従って、半導体集積回路等の微細加工が容易になり、一層の高集積化が可能となる。特に底面部の酸化深さを側面部よりも厚くしたいトレンチ部に有効である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に酸化膜を形成するための装置であって、酸素を含むプラズマを発生する手段と、前記プラズマ発生手段により発生したプラズマ中の酸素負イオンを前記シリコン基板に照射する手段とを有することを特徴とするシリコン基板の酸化膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 A
, H01L 21/316 A
5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AB32
, 5F045AC11
, 5F045AF03
, 5F045AF11
, 5F045EH03
, 5F045EH20
, 5F058BC02
, 5F058BF73
, 5F058BG01
, 5F058BG03
, 5F058BG10
, 5F058BJ06
