半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081458
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267286
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】ダミーセルのしきい値電圧を調整することなく高精度のリファレンス信号を形成しうるフラッシュメモリ等を実現する。この結果、差動型のセンスアンプを備えるフラッシュメモリ等の使い勝手を良くし、その高速化を推進する。【構成】リファレンス信号を形成するためのダミーセルD0〜D7等を、データ保持用セルM0〜M7等と同一アレイ内に同一の製造工程によりかつ同一ピッチで形成する。また、これらのダミーセルのドレインをリファレンス用ビット線BRに結合し、そのソースを独立したリファレンス用ソース線SLRに結合するとともに、ダミーセルの4個ずつ共通結合されたゲートに、そのしきい値電圧が0Vとされかつ対応する4本のワード線W0〜W3等のいずれかが選択状態とされるとき選択的にオン状態とされるスイッチMOSFETQ1〜Q4等を介して選択電位供給線VTに供給された選択電位を伝達する。

請求項（抜粋）：

対応するビット線と第1のソース線との間に設けられそのコントロールゲートが対応するワード線に結合される不揮発性メモリセルと、リファレンス用ビット線と第2のソース線との間に設けられ対応するワード線又は対応する所定数のワード線のいずれかが選択状態とされるとき選択的に上記リファレンス用ビット線にリファレンス電流を流すリファレンス用メモリセルとを含むメモリアレイと、その差動入力端子の一方が指定されるビット線に選択的に接続されその他方が上記リファレンス用ビット線に選択的に接続される差動型のセンスアンプとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 27/04 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C , G11C 17/00 309 B , H01L 27/10 434

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-265599
特開平2-007293
特開平3-162796

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審査官引用 (3件)

特開平4-265599
特開平2-007293
特開平3-162796

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