特許
J-GLOBAL ID：200903026435503319
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147005
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330970
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】中間工程検査の品質データと歩留まり低下に寄与する割合の相関を明確とすることである。【解決手段】検査装置3で処理工程毎に検出した品質データと完成ウエハの歩留まりデータとを蓄積部4に蓄積し、蓄積されたデータを歩留まり低下寄与率算出手段5で統計処理する。
請求項（抜粋）：
複数の処理工程からなる半導体素子の製造プロセスにおいて、処理工程毎に品質データが検出可能な一つ以上の検査装置を備え、(イ)同一ウェハの全部または一部の品質データを処理工程毎に検出して、上記品質データを蓄積する手段と、(ロ)(イ)の被検査部の歩留まりが判明した後に、蓄積してある上記品質データを基に、処理工程毎の歩留まり低下寄与率を算出して、上記歩留まり低下寄与率を蓄積する手段とを有し、(ハ)(ロ)で蓄積された歩留まり低下寄与率と、(イ)で検出された品質データを用いることにより、現在進行中の処理工程ならびに製品に関する品質情報を加工し、上記品質情報を利用することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G06F 17/60
, G11C 29/00 303
, H01L 21/02
H01L 21/66 Z
, G11C 29/00 303 Z
, H01L 21/02 Z
, G06F 15/21 R
