特許
J-GLOBAL ID：200903026458611100
半導体素子の検査装置および検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183118
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】シリコンウエハ等の加熱加速試験においてウエハ等の実際の温度が設定温度通りに制御することができ、かつ、ウエハ等の種類や不良率によってばらつかないような半導体素子の試験装置を実現する。【解決手段】ウエハパック1はヒータ2、温度制御装置3、温度センサ4、サセプタ5、プローブ6、基板7、信号線出口8、容器9、押圧機構10で構成される。ウエハ11はプローブ6と対向して配置され押圧機構10でプローブ6をウエハ11に押し付けウエハ11内のチップと電気的に接続する。ウエハ11内のチップからの信号はプローブ6、基板7、信号線出口8、信号線15からテスタに出力される。サセプタ5の下面にはヒータ2が配置され、温度センサ4が検出した温度検出信号は温度制御装置3に供給される。制御装置3は温度検出信号に基づきウエハ11の温度が所定温度となるようにヒータ2の出力を制御する。
請求項（抜粋）：
被検査体であるウエハと、このウエハの一部に接触するプローブと、上記ウエハとプローブとを押圧する機構と、上記ウエハ及びプローブを所定の配置位置で固定して内包する容器と、を少なくとも備える半導体素子の検査装置において、上記ウエハに近接して配置された温度センサと、上記ウエハを加熱するヒータと、上記温度センサからの温度検出信号に基づいて、上記ヒータの発熱量を制御する温度制御手段と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査装置。
Fターム (13件)：
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA56
, 4M106DH01
, 4M106DH14
, 4M106DH44
, 4M106DH46
, 4M106DH60
, 4M106DJ02
, 4M106DJ11
, 4M106DJ20
