特許
J-GLOBAL ID:200903026460197842

透明導電体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-105414
公開番号(公開出願番号):特開2006-286425
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】透明度に優れ、かつ電気抵抗値を十分に低くすることができる透明導電体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、導電性粒子11及びバインダーを含む混合液を基板13上に塗布する塗布工程と、混合液を硬化させ導電層14を形成する硬化工程と、を備える透明導電体10の製造方法において、混合液における導電性粒子11のゼータ電位の絶対値が70以下である、透明導電体10の製造方法である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
導電性粒子及びバインダーを含む混合液を基体上に塗布する塗布工程と、 前記混合液を硬化させ導電層を形成する硬化工程と、 を備える透明導電体の製造方法において、 前記混合液における前記導電性粒子のゼータ電位の絶対値が70以下である、透明導電体の製造方法。
IPC (2件):
H01B 13/00 ,  H01B 5/14
FI (2件):
H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A
Fターム (4件):
5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る