特許
J-GLOBAL ID:200903026471337867
導体回路の形成方法およびプリント配線板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-351572
公開番号(公開出願番号):特開2000-183495
出願日: 1998年12月10日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】 管理の容易な酸性エッチング液を用いて選択的エッチングを行うことができ、その結果、樹脂基板等の絶縁基板との密着性に優れた平坦な形状の導体回路を形成することができる導体回路の形成方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも下記?@〜?Bの工程、即ち、?@表面に不動態膜を形成する金属からなる第1の導体層を絶縁基板上に形成する工程、?A前記第1の導体層上に、前記表面に不動態膜を形成する金属よりもイオン化傾向が小さい金属からなる第2の導体層を形成する工程、?B酸性エッチング液を用いて選択的エッチングを行うことにより、導体回路非形成領域の第1の導体層と第2の導体層とを同時にエッチングする工程を含むことを特徴とする導体回路の形成方法。
請求項(抜粋):
少なくとも下記?@〜?Bの工程、即ち、?@表面に不動態膜を形成する金属からなる第1の導体層を絶縁基板上に形成する工程、?A前記第1の導体層上に、前記表面に不動態膜を形成する金属よりもイオン化傾向が小さい金属からなる第2の導体層を形成する工程、?B酸性エッチング液を用いて選択的エッチングを行うことにより、導体回路非形成領域の第1の導体層と第2の導体層とを同時にエッチングする工程、を含むことを特徴とする導体回路の形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H05K 3/06 A
, H05K 3/46 B
Fターム (45件):
5E339AD01
, 5E339AD05
, 5E339BC01
, 5E339BC02
, 5E339BC03
, 5E339BD03
, 5E339BD05
, 5E339BD08
, 5E339BE13
, 5E339BE17
, 5E339CC01
, 5E339CC10
, 5E339CE12
, 5E339CE16
, 5E339CF16
, 5E339CF17
, 5E339CG04
, 5E339DD02
, 5E339GG01
, 5E346AA02
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA35
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346BB16
, 5E346CC58
, 5E346DD02
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346DD44
, 5E346DD47
, 5E346DD48
, 5E346EE33
, 5E346EE38
, 5E346FF03
, 5E346FF12
, 5E346FF17
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG27
, 5E346HH11
引用特許:
審査官引用 (12件)
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特開平3-229484
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特開昭59-084491
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特開昭57-050489
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特開平3-229484
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特開昭59-084491
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特開昭57-050489
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特開昭49-003851
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回路基板形成方法及び回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-057465
出願人:富士通株式会社
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特開平3-229484
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特開昭59-084491
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特開昭57-050489
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特開昭49-003851
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