特許
J-GLOBAL ID：200903026478208973
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178023
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に形成した開口を通じて半導体基板中に不純物を拡散させることにより拡散層を形成する半導体装置において、しきい値電圧などの特性が、その絶縁膜の開口の寸法や形状に依存しないようにする。【解決手段】 GaAsJFETの製造において、半絶縁性GaAs基板1上にSiN膜3を形成し、このSiN膜3に形成した開口5を通じて半絶縁性GaAs基板1中にZnを拡散させてゲート拡散層4を形成する場合に、少なくともそのZn拡散の前までに、少なくとも開口5の周辺の部分のSiN膜3の膜厚を150nm以下にしておく。あるいは、開口5の近傍の部分のSiN膜3に溝を形成しておく。
請求項（抜粋）：
拡散層を有する半導体基板と、上記半導体基板上の少なくともSiおよびNを含む絶縁膜と、上記拡散層に対応する部分における上記絶縁膜に設けられた開口とを有する半導体装置において、少なくとも上記開口の周辺の部分における上記絶縁膜の膜厚が150nm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 21/283
, H01L 21/768
H01L 29/80 C
, H01L 21/283 N
, H01L 21/90 A
