プレーナ型半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319950
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162422
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、広い温度範囲で高耐圧を安定して得られるプレーナ型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型の第1の領域(1)と、第1の領域に隣接する第2導電型の第2の領域(2)と、一対の主電極(3,4)とを備え、一方の主電極(3)が第2の領域(2)と接触する。さらに、第2の領域(2)に隣接し、第2の領域(2)よりも濃度が低くく不純物準位が異なる第2導電型の不純物を含む複数の領域(5,6)が形成される。【効果】広い温度範囲にわたって、pn接合のターミネーション部における第2導電型の半導体層のキャリア濃度を所望の耐圧が得られるような値にすることができ、安定して高耐圧を得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の領域と、第1の領域に隣接する第2導電型の第2の領域と、一対の主電極とを備え、一方の主電極が第2の領域と接触するプレーナ型半導体装置において、前記第2の領域に隣接し、第2の領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の不純物を含む複数の領域を有し、該複数の領域ごとに前記不純物の不純物準位が異なっていることを特徴とするプレーナ型半導体装置。

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