不揮発性半導体メモリの制御方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205352
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035176
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】メモリ領域の一部をOTP化して、そのOTP領域に誤書き込み等を生じることなく且つ、書込み領域と未書込み領域の境界を明確にしながらマークデータ書込みを行い、不可逆な状態変化を多く記憶することを可能とした不揮発性半導体メモリの制御方法を提供する【解決手段】 NAND型EEPROMフラッシュメモリの1ブロックを一度だけデータ書込みができるOTPブロックとして設定し、このOTPブロックにマークデータを書き込む方法であって、OTPブロックを1ページ当たり1バイトずつの単位領域に区切り、オール“0”の1バイトのマークデータを、ロウ方向にアドレスをインクリメントして、1バイトずつ順次ページ切り換えを行って書き込む。

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイを有し、このメモリセルアレイの一部である複数ページ分が、一度だけデータ書き込みが許容される状態変化記憶領域として設定された不揮発性半導体メモリの制御方法であって、前記状態変化記憶領域は、各ページ当たり複数個の単位領域に分けられて、初期状態でオール“1”であり、この状態変化記憶領域の各単位領域に状態変化毎にページを順次切り換えて少なくとも一つの“0”を含むマークデータを書き込むようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリの制御方法。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (3件)：

G11C 17/00 631 , G11C 17/00 612 F , G11C 17/00 622 E

Fターム (4件)：

5B025AA02 , 5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-059454
受動ユニット計数集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-159554 出願人：フランス・テレコム, ラ・ポスト, エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-135814 出願人：株式会社東芝

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