特許
J-GLOBAL ID：200903026561258451

半導体レーザーダイオードの製造方法

発明者：
郭 準 變

郭 準 變 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243648
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111132
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザーダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にバッファ層、第1クラッド層、第1導波層、活性層、第2導波層、第2クラッド層及びキャップ層を順次形成する第1段階と、キャップ層をパターニングし、このパターニングされたキャップ層を上部層とするリッジ形に第2クラッド層をパターニングする第2段階と、キャップ層の周りのリッジ形にパターニングされた第2クラッド層を覆うパッシベーション層を選択的に形成する第3段階及びパッシベーション層上に前記キャップ層と接触される電極を形成する第4段階を含む。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層、第1クラッド層、第1導波層、活性層、第2導波層、第2クラッド層及びキャップ層を順次形成する第1段階と、前記キャップ層上にエッチングマスクを形成する第2段階と、前記エッチングマスクを用い、前記活性層が露出されない範囲内でエッチングすることにより、前記キャップ層及び前記第2クラッド層を順次パターニングしてリッジ構造を形成する第3段階と、前記エッチングマスクを用い、前記キャップ層の側面及び前記リッジ構造にパターニングされた第2クラッド層を覆うパッシベーション層を選択的に形成する第4段階と、前記エッチングマスクを除去した状態で、前記パッシベーション層上に前記キャップ層と接触される電極を形成する第5段階とを含むことを特徴とする半導体レーザーダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01L 21/316 C
Fターム (17件)：
5F058BA05 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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