特許
J-GLOBAL ID:200903026566620078

塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 奥山 尚一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-164043
公開番号(公開出願番号):特開2002-363146
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月18日
要約:
【要約】【課題】 より高いコントラスト、即ちより広いフォーカスマージンを有するとともに、密集パターンと孤立パターンの寸法比の問題を解決したレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)、一般式(2)及び一般式(3)で表される塩基性化合物を提供し、また、下記一般式(5)〜(9)からなる一群から選ばれる塩基性化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。さらに、これらのレジスト材料を基板上に塗布する工程と、次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と、を含むパターン形成方法を提案するものである。【化1】
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される塩基性化合物。【化1】(上式中、R0は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、又はカーボネート基を含んでも良い。aは1又は2であり、bは1又は2であり、かつa+b=3を満足する。)
IPC (10件):
C07C215/12 ,  C07C217/64 ,  C07C219/06 ,  C07C229/14 ,  C07C255/24 ,  C07D295/02 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (10件):
C07C215/12 ,  C07C217/64 ,  C07C219/06 ,  C07C229/14 ,  C07C255/24 ,  C07D295/02 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (26件):
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN10 ,  4H006BP10 ,  4H006BT12 ,  4H006BU38 ,  4H006BU40 ,  4H006QN30
引用特許:
審査官引用 (7件)
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