特許
J-GLOBAL ID:200903026595083154
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-328765
公開番号(公開出願番号):特開2001-148384
出願日: 1999年11月18日
公開日(公表日): 2001年05月29日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置内の信号線の非接触な動作波形解析を高時間分解能で行うことができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、動作波形解析の対象となる複数の信号線2、4と、動作波形解析の基準となる基準信号線6とを有し、信号線の一部8と基準信号線の一部10が最上層配線層において互いに電位の干渉を生じる距離に配置されている。遅延時間の基準となる基準信号線6を半導体装置の内部に設け、複数の信号線2、4の動作波形に基準信号線6の基準波形を干渉させることで、動作波形と基準波形を同時に測定することができる。したがって、複数の信号線2、4の動作波形を別の機会に測定しても、測定ごとにバラツキが発生しない。バラツキがなくなることで、時間分解能が向上する。
請求項(抜粋):
動作波形解析の対象となる複数の信号線と、動作波形解析の基準となる基準信号線とを有し、前記信号線の一部と前記基準信号線の一部が最上層配線層において互いに電位の干渉を生じる距離に配置されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/3205
, H01L 21/66
, H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (4件):
H01L 21/66 C
, H01L 21/88 Z
, H01L 21/82 W
, H01L 27/04 D
Fターム (16件):
4M106AA02
, 4M106AA20
, 4M106BA02
, 4M106CA08
, 4M106DE01
, 4M106DE22
, 5F033UU03
, 5F033VV12
, 5F033XX37
, 5F038CD06
, 5F038CD09
, 5F038DT07
, 5F064DD39
, 5F064DD46
, 5F064EE17
, 5F064EE47
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平4-113624
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半導体装置の解析用パターン
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-312423
出願人:三菱電機株式会社
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特開平1-240878
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特開平2-071177
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審査官引用 (1件)
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