不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360029
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204492
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMメモリセルの書き換え及び読み出しを単一電源電圧で行うことを可能とし且つ低電源電圧化を図る。【構成】メモリセルのソースであるN型不純物拡散層104′を、基板部であるPウェル113よりも高濃度に不純物を含有した高濃度P型不純物拡散層114で囲む。そして、メモリセルへの書き込みにはトンネル現象を利用し、また、メモリセルの消去は、ソースに高電圧を印加し、このソース近傍部分において、チャネル110からフローティングゲート109にホットエレクトロンを注入することで行う。この時、ソースであるN型不純物拡散層104′を高濃度P型不純物拡散層114で囲むことにより、ソース近傍部分でのホットエレクトロンの発生効率を高める。

請求項（抜粋）：

電気的に書き換えが可能な不揮発性の半導体記憶装置であって、マトリクス状に配された複数のメモリセルを有し、各メモリセルが、ソース及びドレインと、これらのソース及びドレインの間に形成されたチャネル領域と、このチャネル領域の上に設けられた電荷保持層と、この電荷保持層の上に設けられた制御ゲートとを有した不揮発性半導体記憶装置において、前記各メモリセルのソースを構成する第2導電型の不純物拡散層が、第1導電型の半導体基板部と同一導電型の不純物を前記半導体基板部よりも高濃度に含有した高濃度不純物拡散層に少なくとも局部的に接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 309 C , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平2-002162
特開平2-002162
特開平2-002162

全件表示

前のページに戻る