特許

J-GLOBAL ID：200903026629710528

半導体装置の製造方法およびそのシステム

発明者： 野口 稔 ,  広瀬 丈師 ,  見坊 行雄 ,  二宮 隆典 ,  芹澤 正芳 ,  高原 洋一 ,  木村 剛 ,  三谷 真一郎 ,  田辺 義和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034489
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233374
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高スループットで、且つ高精度の化学的、且つ機械的な研磨を実現して半導体装置(半導体素子)を高スループットで、しかも高歩留まりで製造できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】測定された被研磨材の残膜厚に応じて化学的、且つ機械的な高速研磨から低速研磨に切り換え制御することを特徴とする。また、基板上に形成された被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施して平坦化する研磨工程と、該研磨工程によって平坦化された研磨面に発生する面荒れと区別して傷や異物についての発生状態を検査する検査工程とを有し、該検査工程で検査された研磨面における傷や異物についての発生状態を前記研磨工程にフィードバックして研磨条件を制御して研磨面に発生する傷や異物を低減することを特徴とする半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施して平坦化して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施す際該被研磨材の残膜厚を測定し、この測定された被研磨材の残膜厚に応じて前記化学的、且つ機械的な研磨を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/04 D ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-187155   出願人：株式会社東芝
• 特開昭57-192844
  
• 特開昭57-192844