特許
J-GLOBAL ID：200903080129351518
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187155
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036072
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】研磨中の被研磨膜の膜厚あるいは反射率を測定し、所望の膜厚あるいは反射率で研磨を終了させることができる半導体装置の製造方法を提供し、研磨中の被研磨膜の膜厚あるいは反射率を自動で測定し、その測定結果に応じて研磨を制御する機構を有する半導体製造装置を提供する。【解決手段】被研磨膜を有するウェハを、研磨クロスを用いて研磨する半導体装置の製造方法において、研磨と同時に、研磨クロス内に設けられた光学的窓を通して、前記研磨クロスの裏面側から、被研磨膜の膜厚あるいは被研磨膜面の反射率を、光学的手段を用いて測定する。
請求項（抜粋）：
被研磨膜を有するウェハを、研磨クロスを用いて研磨する半導体装置の製造方法において、前記研磨クロス内に少なくとも一つの光学的窓を開口し、研磨中にこの窓を通して、前記研磨クロスの裏面側から、被研磨膜の膜厚あるいは被研磨膜面の反射率を、光学的手段を用いて測定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 E
