特許
J-GLOBAL ID:200903026640573702
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-323883
公開番号(公開出願番号):特開平6-177288
出願日: 1992年12月03日
公開日(公表日): 1994年06月24日
要約:
【要約】【目的】半導体装置において、基材とキャップの間に熱伝導板を備えて放熱効果を向上させる。また基材とキャップ間にボンディング可能な金属製部材を設けることによりインダクタンスを低減させる。【構成】半導体素子4の上に熱伝導板12を接着し上面はキャップと接着する。非磁性金属板19の底面を非導電性接着剤11で半導体素子4上に接着し、上面を導電性接着剤13で金属性キャップ20に接着する。さらにボンディングワイヤー6で半導体素子4上のパッドと接続する。【効果】半導体装置の放熱性が向上する為、パッケージ空冷用部材を小さくする事ができシステム全体を小型にする事ができる。またイングタンス低減により半導体装置の誤動作がなくなる。
請求項(抜粋):
配線部及びボンディングパッドと、配線部と電気的に導通しているリード及び半導体素子を搭載させる為のキャビティ部を有する絶縁性基材に半導体素子が接着剤を介してキャビティ部底面と固着しており、半導体素子の電極部と、前記ボンディングパッドとがボンディングワイヤーにより電気的に接続されており、キャビティ部を密閉させるキャップを有する半導体装置において、前記絶縁基材の熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有する熱伝導板を半導体素子上面とキャップ裏面の間に設けたことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭60-016452
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特開昭63-186453
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特開平3-014261
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-220542
出願人:富士電機株式会社
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特開平3-060059
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