半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263962
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112476
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】互いに対向する電極間を高い信頼性で確実に接続した半導体装置を製造する。【解決手段】互いに対向するバンプ電極と端子電極とを仮接続し(102)、その後に封止樹脂を注入して(104)封止樹脂を仮硬化する(106)。これによりバンプ電極と隣接するバンプ電極の間に封止樹脂を介在させる。その後、バンプ電極と端子電極とを本接続し(108)、それから封止樹脂を硬化させる(110)。

請求項（抜粋）：

平面的に配列された複数の電極で構成される電極部を備えた一対の基板の一方の各電極に設けられたバンプと他方の各電極とを位置決めし、かつ接触した状態で加熱/加圧することによって、前記一対の基板の電極部の各電極を電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記位置決めした後の加熱/加圧を、前記バンプの接続に要する温度/圧力よりも低い第1の設定値に維持して行い、前記一対の基板の間に非導電性の封止樹脂を注入して、前記電極部のすき間に封止樹脂を充填することにより前記第1の設定値の温度/圧力下で前記封止樹脂を仮硬化させて、前記封止樹脂を仮硬化状態に維持し、かつ前記バンプの接続に要する温度/圧力より高い第2の設定値に変更して、さらに加熱/加圧を行って前記バンプと前記他方の各電極との接続を行った後、前記封止樹脂を硬化させること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56 , H01L 21/603

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/56 E , H01L 21/603 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-064710 出願人：日本電装株式会社
特開平4-352439
特開平3-108734

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