特許
J-GLOBAL ID:200903062273421603

半導体装置の実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-064710
公開番号(公開出願番号):特開平7-273147
出願日: 1994年04月01日
公開日(公表日): 1995年10月20日
要約:
【要約】【目的】バンプと配線電極との接合性を悪化させることなく樹脂液の注入の容易化を実現可能な半導体装置の実装方法を提供する。【構成】半導体チップ2のバンプ3を配線基板1の接続電極10上に当接させた後、半導体チップ2と配線基板1の間の隙間に樹脂液4を注入し、その後、熱圧着によりバンプ3を配線電極10に接合するとともにチップ2と配線基板1との間の隙間を樹脂液で充満させる。樹脂液4はその後、硬化してチップ2と配線基板1とを接着するとともにバンプ3や電極10などを封止する。
請求項(抜粋):
半導体チップの接続電極表面に形成された軟質突起電極を配線基板の接続電極上に当接させるチップ載置工程と、その後、前記半導体チップ及び前記配線基板の間の隙間に樹脂液を注入する樹脂液注入工程と、少なくとも前記樹脂液注入工程の後で、前記軟質突起電極をその融点未満の温度条件下の圧接により塑性変形させて前記配線基板の接続電極と接合する接合工程とを備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-352439
  • 特開昭62-281360
  • 特開平3-108734
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