特許
J-GLOBAL ID：200903026666323046

半導体ウエーハの平坦度測定方法および平坦度測定装置

発明者：
水島 一寿

水島 一寿 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110381
公開番号（公開出願番号）：特開平10-281710
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 長時間大量のウエーハについて測定を続けてもチャックマークの発生がなく、平坦度測定精度に悪影響を及ぼすことのない、半導体ウエーハの平坦度測定方法並びに帯電防止加工を施した試料保持具器付き平坦度測定装置を提供することを主目的とする。【解決手段】 静電容量式プローブを用いた半導体ウエーハの平坦度測定方法において、測定前の前処理として半導体ウエーハ表面に界面活性剤水溶液を塗布すること、測定前の前処理として、半導体ウエーハ表面に存在する自然酸化膜を除去しておくこと、並びに平坦度測定装置の試料保持具の材質を導電性エラストマーとして測定することを特徴とする半導体ウエーハの平坦度測定方法である。
請求項（抜粋）：
静電容量式プローブを用いた半導体ウエーハの平坦度測定方法において、測定前の前処理として半導体ウエーハ表面に界面活性剤水溶液を塗布することを特徴とする半導体ウエーハの平坦度測定方法。
IPC (3件)：
G01B 7/34 101 ,  G01B 7/34 102 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
G01B 7/34 101 A ,  G01B 7/34 102 A ,  H01L 21/66 P
引用特許：
出願人引用 (4件)
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