特許
J-GLOBAL ID：200903026668837713
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021849
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 珪素又は炭化珪素からなる基板を適度な温度でドライエッチングする方法を提供する。【解決手段】 表面の所定部分に保護膜2が形成された珪素又は炭化珪素からなる基板1を500°C以上1000°C以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に供給して基板1の保護膜2が形成されていない部分をドライエッチングする。雰囲気ガスは水素ガスであることが好ましい。また、保護膜2は珪素酸化物からなることが好ましく、その場合は雰囲気ガス中の水分濃度が1ppm以下であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
表面の所定部分に保護膜が形成された珪素又は炭化珪素からなる基板を500°C以上1000°C以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に供給して前記基板の前記保護膜が形成されていない部分をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
Fターム (12件)：
5F004AA16
, 5F004BA19
, 5F004BB05
, 5F004BB26
, 5F004BC03
, 5F004CA04
, 5F004DA20
, 5F004DA24
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB19
, 5F004EA06
