研究者
J-GLOBAL ID:200901060374292871   更新日: 2024年09月19日

羽深 等

ハブカ ヒトシ | Habuka Hitoshi
ホームページURL (1件): http://www.habukalab.ynu.ac.jp/
研究分野 (2件): 反応工学、プロセスシステム工学 ,  応用物性
研究キーワード (10件): 加熱技術 ,  洗浄 ,  プロセス ,  装置 ,  表面 ,  炭化珪素 ,  シリコン ,  エッチング ,  結晶成長 ,  電子材料
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • 2017 - 2020 化学気相堆積速度の理論上限を超える主・副反応設計
  • 2013 - 2016 化学気相堆積法による薄膜形成関連現象全体像の描出
  • 2010 - 2012 固体表面化学結合制御による低温薄膜形成手法探索
  • 2006 - 2008 水晶振動子法と多成分系有機物吸着汚染モデルによる表面吸着分子間相互作用測定法研究
  • 2004 - 2007 結晶材料エッチング技術開発
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論文 (231件):
  • Kenta Hori, Hiroki Kawakami, Hitoshi Habuka. Chemical Conditions of SiCNO Film Exposed to ClF3Gas. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2021. 10. 10
  • Miyu Haruguchi, Masaya Hayashi, Kenta Irikura, Hitoshi Habuka, Yoshinao Takahashi. Anticorrosive Behavior of Aluminum Nitride Surface Exposed to Chlorine Trifluoride Gas at High Temperatures. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2021. 10. 3. 034006
  • Masaya Hayashi, Keisuke Kurashima, Hitoshi Habuka, Akio Ishiguro, Shigeaki Ishii, Yoshiaki Daigo, Hideki Ito, Ichiro Mizushima, Yoshinao Takahashi. Recovery Method of Pyrolytic Carbon Surface after Exposure to Chlorine Trifluoride Gas. Advances in Chemical Engineering and Science. 2021. 11. 1. 65-76
  • Mitsuko Muroi, Mana Otani, Hitoshi Habuka. Boron-Silicon Film Chemical Vapor Deposition Using Boron Trichloride, Dichlorosilane and Monomethylsilane Gases. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2021. 10. 6
  • Hayashi Masaya, Mamyouda Takumi, Habuka Hitoshi, Ishiguro Akio, Ishii Shigeaki, Daigo Yoshiaki, Ito Hideki, Mizushima Ichiro, Takahashi Yoshinao. Design of a Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition Reactor Cleaning Process Using Chlorine Trifluoride Gas Accounting for Exothermic Reaction Heat. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2020. 9. 10. 104008
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MISC (39件):
書籍 (22件):
  • -5G/Beyond 5Gに向けた- 高速・高周波対応部材の最新開発動向
    技術情報協会 2021
  • Manufacturing Systems: Recent Progress and Future Directions
    Nova Science Publishers 2020
  • 最新実用真空技術総覧
    エヌ・ティー・エス 2019 ISBN:9784860435592
  • Silicon Epitaxial Reactor for Minimal Manufacturing
    "Epitaxy" Editor Miao Zhong 2017 ISBN:9789535152514
  • Polycrystalline Films
    Nova Publisher 2017 ISBN:9781536108187
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講演・口頭発表等 (33件):
  • Transport Phenomena in a Slim Vertical CVD Reactor for Minimal Manufacturing
    (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016)
  • Increase in Silicon Film Deposition Rate in a SiHCl3-SiHx-H2 System
    (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016)
  • In Situ cleaning process of silicon carbide epitaxial reactor for removing film-type deposition formed on susceptor
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 2015)
  • Etching rate behavior of 4H-silicon carbide epitaxial film using chlorine trifluoride gas
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 2015)
  • Numerical evaluation of silicon epitaxial growth for 450mm Ø substrate
    (EuroCVD20 2015)
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Works (5件):
  • 環境空気中有機物濃度測定法に関する特許
    2000 -
  • シリコン表面清浄化方法に関する特許
    1999 -
  • 結晶成長表面条件に関する特許
    1997 -
  • 結晶薄膜厚さの均一化方法に関する特許
    1996 -
  • 発光ダイオードの製造方法に関する特許
    1989 -
学歴 (3件):
  • - 1996 広島大学 工学研究科 化学工学専攻
  • - 1981 京都大学 理学研究科 化学専攻
  • - 1979 新潟大学 理学部 化学科
学位 (2件):
  • 理学修士 (京都大学)
  • 博士(工学) (広島大学)
経歴 (6件):
  • 2022/04 - 現在 反応装置工学ラボラトリ 代表
  • 2022/04 - 現在 横浜国立大学 名誉教授
  • 2002/04 - 2022/03 横浜国立大学大学院 教授
  • 2003/04 - 2004/03 九州大学先導物質科学研究所 非常勤講師
  • 2000/04 - 2002/03 横浜国立大学 助教授
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委員歴 (11件):
  • 2008/04 - 現在 第145委員会 委員
  • 2007/02 - 現在 反応工学部会CVD反応部会 企画幹事
  • 2006/04 - 現在 理事会 理事
  • 2006/04 - 現在 理事会 副理事長
  • 2020/02 - 2021/03 国立大学教育研究評価委員会 専門委員
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受賞 (1件):
  • 2003 - 空気清浄協会、論文賞
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