羽深等

ハブカヒトシ | Habuka Hitoshi

ホームページURL (1件)： http://www.habukalab.ynu.ac.jp/

研究分野 (2件)：反応工学、プロセスシステム工学 , 応用物性

研究キーワード (10件)：加熱技術 , 洗浄 , プロセス , 装置 , 表面 , 炭化珪素 , シリコン , エッチング , 結晶成長 , 電子材料

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (229件)：

Miyu Haruguchi, Masaya Hayashi, Kenta Irikura, Hitoshi Habuka, Yoshinao Takahashi. Anticorrosive Behavior of Aluminum Nitride Surface Exposed to Chlorine Trifluoride Gas at High Temperatures. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2021. 10. 3. 034006
Masaya Hayashi, Keisuke Kurashima, Hitoshi Habuka, Akio Ishiguro, Shigeaki Ishii, Yoshiaki Daigo, Hideki Ito, Ichiro Mizushima, Yoshinao Takahashi. Recovery Method of Pyrolytic Carbon Surface after Exposure to Chlorine Trifluoride Gas. Advances in Chemical Engineering and Science. 2021. 11. 1. 65-76
Hayashi Masaya, Mamyouda Takumi, Habuka Hitoshi, Ishiguro Akio, Ishii Shigeaki, Daigo Yoshiaki, Ito Hideki, Mizushima Ichiro, Takahashi Yoshinao. Design of a Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition Reactor Cleaning Process Using Chlorine Trifluoride Gas Accounting for Exothermic Reaction Heat. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2020. 9. 10. 104008
Hori Kenta, Zhou Yifan, Kanai Tomohiko, Habuka Hitoshi. Temperature Influence on Organic Molecular Interaction on Silicon Oxide Surface In Situ Measured Utilizing a Quartz Crystal Microbalance. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2020. 9. 10. 104007
郭碧濤, 羽深等. 低誘電特性を有する変性ビスマレイミド耐熱樹脂. エレクトロニクス実装学会誌. 2020. 23. 6. 521-526

MISC (39件)：

書籍 (22件)：

-5G/Beyond 5Gに向けた- 高速・高周波対応部材の最新開発動向
技術情報協会 2021
Manufacturing Systems: Recent Progress and Future Directions
Nova Science Publishers 2020
最新実用真空技術総覧
エヌ・ティー・エス 2019 ISBN:9784860435592
Silicon Epitaxial Reactor for Minimal Manufacturing
"Epitaxy" Editor Miao Zhong 2017 ISBN:9789535152514
Polycrystalline Films
Nova Publisher 2017 ISBN:9781536108187

講演・口頭発表等 (34件)：

Transport Phenomena in a Slim Vertical CVD Reactor for Minimal Manufacturing
(18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016)
Increase in Silicon Film Deposition Rate in a SiHCl3-SiHx-H2 System
(18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016)
In Situ cleaning process of silicon carbide epitaxial reactor for removing film-type deposition formed on susceptor
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 2015)
Etching rate behavior of 4H-silicon carbide epitaxial film using chlorine trifluoride gas
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 2015)
Numerical evaluation of silicon epitaxial growth for 450mm Ø substrate
(EuroCVD20 2015)

Works (5件)：

学歴 (3件)：

学位 (2件)：

経歴 (6件)：

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委員歴 (11件)：

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受賞 (1件)：

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