固体撮像素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335216
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168204
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】高速駆動を可能にし、しかも感度シューディングや白キズの発生を防止した固体撮像素子の提供が望まれている。【解決手段】基体21の表層部に設けられて光電変換をなす受光センサ部と、受光センサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、基体21の、電荷転送部の略直上位置に絶縁膜26を介して設けられたポリシリコン製の転送電極27(28)と、転送電極27(28)に接続するポリシリコン製の配線とを備えた固体撮像素子20である。ポリシリコン製の転送電極27(28)および配線のうち少なくとも一方が、ポリシリコン層27a(28a)の上に、ポリシリコンより低抵抗の高融点金属が選択成長させられている。

請求項（抜粋）：

基体の表層部に設けられて光電変換をなす受光センサ部と、該受光センサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、前記基体の、前記電荷転送部の略直上位置に絶縁膜を介して設けられたポリシリコン製の転送電極と、該転送電極に接続するポリシリコン製の配線とを備えてなり、前記ポリシリコン製の転送電極および配線のうち少なくとも一方が、ポリシリコン層の上に、ポリシリコンより低抵抗の高融点金属が選択成長させられてなることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H04N 5/335 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-184375
単層ゲートCCDの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042733 出願人：沖電気工業株式会社
特開平4-302151

全件表示

前のページに戻る