特許
J-GLOBAL ID：200903026691228848

リチウム二次電池の製造方法

発明者：
金井 久美子

金井 久美子 について

, 
樽井 久樹

樽井 久樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120621
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313326
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】充放電容量の減少と充放電サイクル特性の悪化とを防止することが可能なリチウム二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】このリチウム二次電池の製造方法は、集電体11を移動させながら、回転ドラム6上で、スパッタ法を用いて、集電体11の表面上に界面層を形成する工程と、界面層の形成後に、集電体11を移動させながら、水冷回転ドラム4上で、スパッタ法を用いて、界面層上に活物質層を形成する工程とを備えている。特に本製造方法は負極活物質として非晶質シリコン層を含む場合に効果が大きい。
請求項（抜粋）：
集電体を移動させながら、第1の場所で、気相から原料を供給する方法を用いて、前記集電体の表面上に第1活物質層を形成する工程と、前記第1活物質層の形成後に、前記集電体を移動させながら、第2の場所で、気相から原料を供給する方法を用いて、前記第1活物質層上に第2活物質層を形成する工程とを備えた、リチウム二次電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01M 4/04 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/64
FI (4件)：
H01M 4/04 A ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 4/64 Z
Fターム (20件)：
5H017AA03 ,  5H017BB00 ,  5H017BB15 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H017HH08 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CA08 ,  5H050CB11 ,  5H050DA03 ,  5H050DA04 ,  5H050EA09 ,  5H050EA24 ,  5H050FA08 ,  5H050FA20 ,  5H050GA24 ,  5H050HA14
引用特許：
審査官引用 (1件)

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