複数の角度を有するガス導入手段を用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156730
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345354
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】比較的高圧領域(1 Torr程度)でφ300mm以上の大面積基板の処理を行う場合でも、均一に処理を行うことが可能な、処理用ガスを基板に均一に供給できるプラズマ処理装置の提供。【解決手段】プラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する手段と、該プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する手段と、該プラズマ処理室内を排気する手段と、プラズマを発生させる為に該プラズマ処理室内に電気エネルギーを供給する手段とを具備するプラズマ処理装置において、該ガス導入手段が、ガス導入孔の向きが基板面に対して複数の角度を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともプラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する手段と、該プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する手段と、該プラズマ処理室内を排気する手段と、プラズマを発生させる為に該プラズマ処理室内に電気エネルギーを供給する手段とを具備するプラズマ処理装置において、該ガス導入手段は、ガス導入孔の向きが基板面に対して複数の角度を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/511 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 16/511 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 H

Fターム (84件)：

4K030AA06 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030JA03 , 4K030JA04 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 4K030KA05 , 4K057DA20 , 4K057DB02 , 4K057DB03 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DD01 , 4K057DE02 , 4K057DE07 , 4K057DE08 , 4K057DE09 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG08 , 4K057DG15 , 4K057DM02 , 4K057DM29 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BC03 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA15 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004DA28 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB26 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB03 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF10 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF04 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH11

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマCVD法による堆積膜形成装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-289047 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-287309
環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135100 出願人：キヤノン株式会社

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