高出力用バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223700
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】チップ表面での配線の交差を減らすことにより、高周波特性を損なうことなく大出力を実現する高出力用バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】チップの裏面にコレクタ配線用の穴として基板の厚さの半分程度の深さの溝(コレクタ配線溝16)を形成し、この溝から、表面のトランジスタのコレクタ層の真下まで、基板に穴(コレクタコンタクト穴14)をあけ、ここに金などの配線材を充填、さらにコレクタ配線溝16のなかにコレクタ配線13を形成する。コレクタ配線13を裏面に持ってくることで、表面の配線の交差を低減でき、配線相互の干渉を防いで、高周波特性を損なうことなく高出力化をはかることができる。また、トランジスタの主要発熱部であるコレクタ層に直接バイアホールを接続でき、放熱特性を改善することができる。

請求項（抜粋）：

小出力のバイポーラトランジスタフィンガーをチップ表面に多数並べ、各フィンガーのエミッタがバイアホールを介してチップ裏面を覆う接地用導体に接続された構成の高出力用バイポーラトランジスタにおいて、基板の裏面にコレクタ配線用の溝を形成し、表面のトランジスタのコレクタ層の真下まで、基板にコンタクト穴をあけ、ここに金属を充填し、これらのコンタクト穴同士を裏面で相互接続することを特徴とする高出力用バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (1件)

低熱インピーダンス集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-332002 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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