特許
J-GLOBAL ID:200903026703596309
基板乾燥装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-125805
公開番号(公開出願番号):特開2001-308059
出願日: 2000年04月26日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】 微細化・複雑化された構造を有する基板であってもウォーターマークを発生させることなく、しかも乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる基板乾燥装置を提供する。【解決手段】 乾燥ガス発生部31にて発生された低分子シリコーンの乾燥ガスはヒータ37によって加熱された後、乾燥ガス供給ノズル30から供給される。乾燥ガスは、洗浄槽20の純水中から引き揚げられつつある基板Wの主面に気流として供給される。乾燥ガス中のシリコーンは、基板Wの表面に凝縮して水分と置換し、その後気化する。シリコーンは浸透性・乾燥性に優れているため、微細化・複雑化された構造を有する基板であってもウォーターマークの発生を抑制することができる。また、シリコーンは環境に負荷を与えないため、廃棄に特段の処理を必要とせず、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。
請求項(抜粋):
純水によって洗浄された後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、純水が付着した基板の主面にシリコーンガスを含む乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
IPC (4件):
H01L 21/304 651
, F26B 5/00
, F26B 21/14
, H01L 21/306
FI (4件):
H01L 21/304 651 L
, F26B 5/00
, F26B 21/14
, H01L 21/306 Z
Fターム (14件):
3L113AA01
, 3L113AB02
, 3L113AB09
, 3L113AC08
, 3L113AC67
, 3L113BA34
, 3L113CA06
, 3L113DA06
, 5F043AA01
, 5F043AA07
, 5F043AA21
, 5F043AA40
, 5F043DD12
, 5F043EE40
引用特許:
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