特許

J-GLOBAL ID：200903026705485679

半導体装置およびその製造方法

発明者： 曽祢 修次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085642
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】良好な酸素バリア性と電流導通性が両立された電極膜を備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】下部電極膜を、塊状構造の結晶粒層6と柱状構造の結晶粒層7よりなる結晶粒積層構造とする。また、バリア層を10atm%以上50atm%以下の窒素を含む窒化タンタルよりなる塊状構造の結晶粒層とする。

請求項（抜粋）：

酸化物誘電体薄膜および該酸化物誘電体薄膜を狭持する一対の電極膜からなる薄膜キャパシタを備える半導体装置であって、前記一対の電極膜の少なくとも一方が、柱状構造の結晶粒層および塊状構造の結晶粒層を含む結晶粒積層構造よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/30 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (6件)：

H01L 27/10 621 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 16/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (47件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA13 ,  4K029BA50 ,  4K029BA52 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC14 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F083AD42 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-333373   出願人：株式会社日立製作所
• 誘電体キャパシタと誘電体メモリ装置、及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071477   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社