誘電体キャパシタと誘電体メモリ装置、及びこれらの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246494
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】ポリシリコンからなる下部電極と酸化タンタルからなる誘電体膜との界面において、下部電極が誘電体膜の形成時に酸化されて比誘電率の低い酸化膜が形成されることを防止し、高い比誘電率と大きな静電容量を保持すること。【解決手段】ポリシリコン下部電極6と酸化タンタル誘電体膜9との間に、酸化され難い窒化タンタル膜8を設け、これにより、誘電体膜9の形成時に窒化タンタル膜8によって下部電極6の酸化を防止する。窒化タンタル膜8が酸化されても誘電体膜9の一部となるだけであり、キャパシタ性能に実質的に影響はない。

請求項（抜粋）：

第1の電極がこれに対向する第2の電極上に設けられ、前記第1及び第2の電極の間に誘電体膜を具備し、前記第2の電極が、前記誘電体膜の側において、前記誘電体膜の構成元素からなる酸化抑制手段を有している誘電体キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-074556
特開平3-209869
特開平4-192556

全件表示

前のページに戻る