特許
J-GLOBAL ID：200903026727796201
結晶成長方法および半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336473
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181355
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板上に、欠陥の少ない良質のGaN結晶を成長させる。【解決手段】 水素ターミネイト6H-SiC(0001)基板表面に、GaN層を成長させる。まず、6H-SiC(0001)基板10の表面を水素によりターミネイトする。この基板をMOCVD装置内にセットし、基板温度を1000°Cに保持し、水素キャリアガスと共にトリメチルガリウムおよびアンモニアを供給する。この方法により、SiC基板表面12にGaN単結晶薄膜11がヘテロエピタキシャル成長する。
請求項（抜粋）：
水素ターミネイトしたSiC結晶と、前記結晶上に形成したGaN層とを備えた半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
