特許

J-GLOBAL ID：200903026744178031

低温焼成磁器および電子部品

発明者： 大渕 武志 ,  成尾 良明 ,  井出 良律
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  双信電機株式会社
代理人 (1件)： 細田 益稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-066030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-265267
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】【課題】低温焼成磁器において、1000°C以下の低温領域において焼成可能であり、誘電率εrを低くでき、品質係数を高くでき、かつクラックの発生率を低く抑えられるようにする。【解決手段】低温焼成磁器は、バリウム成分をBaOに換算して10-64重量%、珪素成分をSiO2に換算して20-80重量%、アルミニウム成分をAl2O3に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2O3に換算して0.3-1.0重量%、亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%、およびビスマス成分をBi2O3に換算して20重量%以下含有している。

請求項（抜粋）：

バリウム成分をBaOに換算して10-64重量%、珪素成分をSiO2に換算して20-80重量%、アルミニウム成分をAl2O3に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2O3に換算して0.3-1.0重量%、亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%、およびビスマス成分をBi2O3に換算して20重量%以下含有していることを特徴とする、低温焼成磁器。

IPC (4件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/16 ,  H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 336

FI (4件)：

H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 336 ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/16 Z

Fターム (21件)：

4G030AA10 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA01 ,  4G030BA09 ,  4G030GA27 ,  5G303AA10 ,  5G303AB06 ,  5G303AB08 ,  5G303AB15 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB30 ,  5G303CB38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-014350   出願人：日本碍子株式会社