特許

J-GLOBAL ID：200903026747395050

半導体装置

発明者： 山田 浩二
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  松山 隆夫 ,  武藤 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067138
公開番号（公開出願番号）：特開2005-261035
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 基板上で並列接続された複数の半導体スイッチング素子と、この基板に対して立体的に配置された電極板(バスバー)とが備えられた構造の半導体装置において、半導体スイッチング素子間での不均衡かつ過大なピーク電流の発生を防止する。【解決手段】 バスバーを立体的に配置する構造では、バスバーと平面的に見て重なり合う半導体スイッチング素子181と、バスバと平面的に見て重なり合わない半導体スイッチング素子182との間で、相互インダクタンス効果によって電流経路のインダクタンス値に差異が生じる。インダクタンス値の差異によって生じるターンオンおよびターンオフ時でのピーク電流の差を相殺するように、バスバーと重なる半導体スイッチング素子181に対応のゲート抵抗は、バスバーと重ならない半導体スイッチング素子182に対応のゲート抵抗よりも高い抵抗値に設計される。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

制御電極への電気的入力に応答してオンおよびオフが制御される複数の半導体スイッチング素子と、 所定電圧を前記複数の半導体スイッチング素子へ供給するためのバスバーと、 前記複数の半導体スイッチング素子の各々に対応して設けられ、対応の半導体スイッチング素子のオンおよびオフを指示する制御信号に応答した前記電気的入力を生成して前記制御電極へ与える駆動回路とを備え、 前記バスバーは、前記複数の半導体スイッチング素子が搭載された基板に対して、基板表面から垂直方向に離間し、かつ、前記基板表面の一部と面して配策され、 前記複数の半導体スイッチング素子は、前記基板平面に対して垂直方向から見て、前記バスバーと重なる領域に配置された第1の半導体スイッチング素子と、前記バスバーと重ならない領域に配置された第2の半導体スイッチング素子とを含み、 前記駆動回路において、前記電気的入力が前記第1の半導体スイッチング素子の制御電極へ伝達される伝達経路のインピーダンスは、前記電気的入力が前記第2の半導体スイッチング素子の制御電極へ伝達される伝達経路のインピーダンスよりも大きい、半導体装置。

IPC (3件)：

H02M7/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H02M7/48 M ,  H01L25/04 C

Fターム (9件)：

5H007AA06 ,  5H007BB01 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304968   出願人：株式会社日立製作所
• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-240738   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-152607   出願人：株式会社日立製作所, 東京電力株式会社
• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-200289   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ビルシステム
• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153266   出願人：株式会社日立製作所