特許
J-GLOBAL ID：200903026751113450
高さ検査方法、それを実施する高さ検査装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-227618
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】半導体チップ表面のバンプ端子の頂点の高さを精度良く検査する方法と装置の提供をする。【解決手段】反射率の異なる領域を有する被検査物の表面に、所定の強度の入射光を走査し、その表面からの反射光を光点位置検出手段に結像させ、その結像した光点位置を検出することにより前記表面の高さを検知する高さ検査方法において、反射率の高い第一の領域41を囲みその周辺の反射率の低い第二の領域45では、当該高い反射率でも前記光点位置検出手段が飽和しない程度の低い第一の入射光強度で走査を行う工程と、該反射光の結像光の光量が所定の閾値を越えたことを検知したら、前回の走査時の該検知光量と入射光強度から求めた適切な第二の入射光強度で走査を行う工程とを有することを特徴とする。上記の第二の入射光強度は、前回の走査時の入射光強度とその時の検知光量から、演算により求められる。
請求項（抜粋）：
反射率の異なる領域を有する被検査物の表面に所定の強度の入射光を走査し、その表面からの反射光を光点位置検出手段に結像させ、その結像した光点位置から前記表面の高さを検知する高さ検査方法において、反射率の高い第一の領域を囲みその周辺の反射率の低い第二の領域では、当該高い反射率でも前記光点位置検出手段が飽和しない程度の低い第一の入射光強度で走査を行う工程と、該反射光の結像光の光量が所定の閾値を越えたことを検知したら、前回の走査時の該検知光量と該入射光強度から求めた適切な第二の入射光強度で走査を行う工程とを有することを特徴とする高さ検査方法。
IPC (3件)：
G01B 11/02
, H01L 21/66
, H01L 21/321
G01B 11/02 Z
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 R
, H01L 21/66 Z
, H01L 21/92 604 T
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
