半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326123
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】高性能なMOSFET等を得るに際し、ストレス発生などの問題なく、所望の局所領域(例えばソース,ドレイン近傍)のみ選択的にイオン注入を行うことができる新規な技術を提供する。【構成】半導体基板1上に絶縁膜(ゲート酸化膜5)を形成し、第1の電気伝導膜(Poly Si6a)を形成し、その側壁に第2の絶縁膜(SiNスペーサ8)を形成し、第1導電型の拡散層(ソース,ドレイン拡散層9a,9b)を形成し、膜6a,8に近接させて第2の電気伝導膜Poly Si11を形成し、絶縁膜8を除去し、第1及び第2の電気伝導膜6a,11をマスクとして第2導電型の拡散層(ポケットイオン注入領域12a,12b)を形成し、第2の電気伝導膜11の表面にこれより低抵抗な第3の電気伝導膜(シリサイド10)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、第1の電気伝導膜を形成する工程と、第1の電気伝導膜の側壁に第2の絶縁膜を形成する工程と、第1導電型の拡散層を形成する工程と、第1の電気伝導膜及び第2の絶縁膜に近接させて第2の電気伝導膜を形成する工程と、第2の絶縁膜を除去する工程と、第1及び第2の電気伝導膜をマスクとして第2導電型の拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 L , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-233238
特開昭62-117329
特開昭63-062271

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