特許

J-GLOBAL ID：200903026760689127

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 大内 伸仁 ,  田中 康雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094005
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【解決手段】半導体素子の両面に樹脂が形成された半導体装置に於て、両面に形成された樹脂の樹脂厚の比を0.2以上1以下とする。【効果】 半導体装置に反りが生じない。

請求項（抜粋）：

厚さが200μm以下の半導体素子と、前記半導体素子の回路形成面上に形成された突起電極と、前記突起電極の上面を露出させて、前記回路形成面及び前記突起電極を封止する封止樹脂と、前記半導体素子の回路形成面と反対側の面を封止する封止樹脂とを有する半導体装置に於て、前記半導体素子の回路形成面を封止する封止樹脂の厚さをAとし、前記半導体素子の回路形成面と反対側の面を封止する封止樹脂の厚さをBとすると、2≦A/B≦1又は2≦B/A≦1を満たすことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/30 D

Fターム (8件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109ED02 ,  4M109ED03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-212913   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-287394   出願人：ソニー株式会社