特許
J-GLOBAL ID：200903026764457395

発光素子及び発光素子の製造方法

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
大池 智之

大池 智之 について

, 
田 透

田 透 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-061869
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281438
出願日： 2007年03月12日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】直流駆動型発光素子において、高輝度のものを得るとともに、低温でなくても発光するものを得る。【解決手段】カルコパイライト化合物半導体で構成される層12が、ドナーアクセプター発光体13に隣接して積層され、ドナーアクセプター発光体13は、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する層である。また、カルコパイライト化合物半導体がI-III-VI2型で表され、I族がCu及びAgのいずれかから、III族がAl、Ga及びInのいずれかから、VI族がS、Se及びTeのいずれかから選ばれるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
カルコパイライト化合物半導体で構成される層と、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する発光層が隣接して積層されることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/56
FI (2件)：
H01L33/00 A ,  C09K11/56
Fターム (20件)：
4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001YA07 ,  4H001YA09 ,  4H001YA13 ,  4H001YA17 ,  4H001YA29 ,  4H001YA31 ,  4H001YA35 ,  4H001YA47 ,  4H001YA49 ,  4H001YA53 ,  4H001YA79 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA24 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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